Технічний опис TK39N60W,S1VF(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 270W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.
Інші пропозиції TK39N60W,S1VF(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TK39N60W,S1VF(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 270W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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TK39N60W,S1VF(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK39N60W,S1VF(S |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK39N60W,S1VF(S |
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Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




