
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 494.04 грн |
30+ | 276.83 грн |
120+ | 201.09 грн |
510+ | 179.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK39N60W,S1VF Toshiba
Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK39N60W,S1VF за ціною від 342.75 грн до 512.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK39N60W,S1VF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
TK39N60W,S1VF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
TK39N60W,S1VF | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |