на замовлення 60 шт:
термін постачання 152-161 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 383.99 грн |
| 10+ | 334.74 грн |
| 30+ | 245.01 грн |
| 120+ | 213.64 грн |
| 270+ | 210.3 грн |
| 510+ | 196.95 грн |
| 1020+ | 159.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK39N60W,S1VF Toshiba
Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK39N60W,S1VF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK39N60W,S1VF | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
TK39N60W,S1VF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
TK39N60W,S1VF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V Power Dissipation (Max): 270W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V |
товар відсутній |