TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 494.94 грн |
| 30+ | 276.30 грн |
| 120+ | 232.28 грн |
| 510+ | 196.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK39N60W5,S1VF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK39N60W5,S1VF | Toshiba |
MOSFETs Power MOSFET N-Channel |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TK39N60W5,S1VF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
TK39N60W5,S1VF | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK39N60W5,S1VF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
MOSFETs Power MOSFET N-Channel
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK39N60W5,S1VF |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK39N60W5,S1VF |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)