Продукція > TOSHIBA > TK39N60X,S1F(S
TK39N60X,S1F(S

TK39N60X,S1F(S Toshiba

1545docget.jsptypedatasheetlangenpidtk39n60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+181.53 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK39N60X,S1F(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK39N60X,S1F(S за ціною від 341.61 грн до 705.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S Виробник : TOSHIBA TK39N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.63 грн
3+408.94 грн
10+361.56 грн
30+341.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S Виробник : TOSHIBA TK39N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 85nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.55 грн
3+509.60 грн
10+433.88 грн
30+409.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S Виробник : TOSHIBA 3934703.pdf Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+705.71 грн
10+426.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S Виробник : Toshiba 1545docget.jsptypedatasheetlangenpidtk39n60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S Виробник : Toshiba 1545docget.jsptypedatasheetlangenpidtk39n60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.