Продукція > TOSHIBA > TK39N60X,S1F

TK39N60X,S1F Toshiba


1545docget.jsptypedatasheetlangenpidtk39n60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK39N60X,S1F Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK39N60X,S1F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK39N60X,S1F TK39N60X,S1F Toshiba 3338313730443637364546383735373737424234433530444530363342414538.pdf MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60X,S1F 3338313730443637364546383735373737424234433530444530363342414538.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.