на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 746+ | 40.80 грн |
| 1000+ | 38.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK3A65DA(STA4,QM)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK3A65DA(STA4,QM) | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|
 |
TK3A65DA(STA4,QM) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
TK3A65DA(STA4,QM) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51 |
товару немає в наявності |