| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 612+ | 57.42 грн |
| 1000+ | 52.96 грн |
| 10000+ | 47.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3A65DA(STA4,QM) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK3A65DA(STA4,QM)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK3A65DA(STA4,QM) | Toshiba |
 MOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK3A65DA(STA4,QM) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
MOSFETs N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)