на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.73 грн |
| 50+ | 68.85 грн |
| 100+ | 53.47 грн |
| 250+ | 50.53 грн |
| 500+ | 39.61 грн |
| 1000+ | 34.87 грн |
| 5000+ | 32.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3A90E,S4X Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK3A90E,S4X за ціною від 88.80 грн до 88.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK3A90E,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
TK3A90E,S4X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товару немає в наявності |