TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.00 грн |
| 10+ | 76.34 грн |
| 100+ | 51.11 грн |
| 500+ | 37.82 грн |
| 1000+ | 34.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK3P50D,RQ(S за ціною від 24.82 грн до 132.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK3P50D,RQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm |
на замовлення 1997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|