Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK3P50D,RQ(S
TK3P50D,RQ(S

TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

Mosfets_Prod_Guide.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.62 грн
10+74.27 грн
100+49.72 грн
500+36.80 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK3P50D,RQ(S за ціною від 42.85 грн до 145.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba 327tk3p50d_datasheet_en_20131226.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.49 грн
147+96.00 грн
209+67.32 грн
210+64.68 грн
500+48.50 грн
1000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba 327tk3p50d_datasheet_en_20131226.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+145.17 грн
200+111.46 грн
500+80.55 грн
1000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba 1E36E95953A611E25B3C48FD531BFC1FD16CE4A0C264A99B9C059825E033D799.pdf MOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S TOSHIBA 3732411.pdf Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S TOSHIBA 3732411.pdf Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 327tk3p50d_datasheet_en_20131226.pdf.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+140.49 грн
147+96.00 грн
209+67.32 грн
210+64.68 грн
500+48.50 грн
1000+42.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 327tk3p50d_datasheet_en_20131226.pdf.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+145.17 грн
200+111.46 грн
500+80.55 грн
1000+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 1E36E95953A611E25B3C48FD531BFC1FD16CE4A0C264A99B9C059825E033D799.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 3732411.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P50D,RQ(S 3732411.pdf
TK3P50D,RQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.