Продукція > TOSHIBA > TK3P80E,RQ(S
TK3P80E,RQ(S

TK3P80E,RQ(S TOSHIBA

3934707.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.34 грн
500+32.03 грн
1000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK3P80E,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK3P80E,RQ(S за ціною від 24.63 грн до 90.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK3P80E,RQ(S TK3P80E,RQ(S Виробник : Toshiba 2257docget.jsplangenpidtk3p80etypedatasheet.jsplangenpidtk3p80etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+63.40 грн
226+53.96 грн
264+46.25 грн
278+42.25 грн
500+36.59 грн
1000+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(S TK3P80E,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934707.pdf Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.56 грн
13+64.22 грн
100+47.34 грн
500+32.03 грн
1000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ(S TK3P80E,RQ(S Виробник : Toshiba 2257docget.jsplangenpidtk3p80etypedatasheet.jsplangenpidtk3p80etypeda.pdf MOSFETs Silicon N-Channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.