Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK3P80E,RQ
TK3P80E,RQ

TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK3P80E_datasheet_en_20140917.pdf?did=14695&prodName=TK3P80E Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+67.28 грн
100+47.21 грн
500+37.26 грн
1000+35.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK3P80E,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK3P80E,RQ за ціною від 32.88 грн до 99.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Виробник : Toshiba TK3P80E_datasheet_en_20140917-1649626.pdf MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.32 грн
10+72.58 грн
25+59.96 грн
100+44.25 грн
250+44.18 грн
500+35.67 грн
1000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Виробник : Toshiba 2257docget.jsplangenpidtk3p80etypedatasheet.jsplangenpidtk3p80etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Виробник : Toshiba 2257docget.jsplangenpidtk3p80etypedatasheet.jsplangenpidtk3p80etypeda.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3P80E,RQ TK3P80E,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK3P80E_datasheet_en_20140917.pdf?did=14695&prodName=TK3P80E Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.