
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 154.07 грн |
10+ | 89.38 грн |
100+ | 61.95 грн |
500+ | 49.50 грн |
1000+ | 41.65 грн |
2500+ | 39.01 грн |
5000+ | 38.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3R1A04PL,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V.
Інші пропозиції TK3R1A04PL,S4X за ціною від 165.01 грн до 165.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK3R1A04PL,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
TK3R1A04PL,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
TK3R1A04PL,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |