на замовлення 250 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.98 грн |
| 10+ | 102.12 грн |
| 100+ | 70.46 грн |
| 500+ | 59.15 грн |
| 1000+ | 50.64 грн |
| 2500+ | 48.14 грн |
| 5000+ | 46.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3R1E04PL,S1X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V.
Інші пропозиції TK3R1E04PL,S1X за ціною від 159.78 грн до 165.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK3R1E04PL,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| TK3R1E04PL,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|