TK3R2E06PL,S1X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 168W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3R2E06PL,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 168W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.
Інші пропозиції TK3R2E06PL,S1X(S за ціною від 95.79 грн до 95.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK3R2E06PL,S1X(S | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 168W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 168W Case: TO220 On-state resistance: 2.4mΩ Kind of channel: enhancement |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||
| TK3R2E06PL,S1X(S | Toshiba |
 Silicon N-channel MOS |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK3R2E06PL,S1X(S |
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 168W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 168W
Case: TO220
On-state resistance: 2.4mΩ
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 168W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 168W
Case: TO220
On-state resistance: 2.4mΩ
Kind of channel: enhancement
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 95.79 грн |
| TK3R2E06PL,S1X(S |
|
Виробник: Toshiba
Silicon N-channel MOS
Silicon N-channel MOS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)