Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK3R2E06PL,S1X
TK3R2E06PL,S1X

TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=58637&prodName=TK3R2E06PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK3R2E06PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 168W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TK3R2E06PL,S1X за ціною від 60.16 грн до 212.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK3R2E06PL,S1X TK3R2E06PL,S1X Виробник : Toshiba 8705EA54512E2C4B51D985FF9700520074EFD6F1E4802DD95CBFA4CA25C870A6.pdf MOSFETs TO220 100V 120A
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.41 грн
10+105.88 грн
100+82.38 грн
500+64.31 грн
1000+60.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X TK3R2E06PL,S1X Виробник : Toshiba tk3r2e06pl_datasheet_en_20210120.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK3R2E06PL,S1X Виробник : Toshiba TK3R2E06PL_Toshiba.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5000 @ 50, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 3,2 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 700 мкА, Р, Вт = 168, Тексп, °C = до 175, Тип монт. = Вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. в
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.