на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.94 грн |
| 10+ | 139.26 грн |
| 100+ | 96.14 грн |
| 500+ | 80.73 грн |
| 1000+ | 69.43 грн |
| 2500+ | 65.98 грн |
| 5000+ | 63.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3R2E06PL,S1X Toshiba
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 168W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TK3R2E06PL,S1X за ціною від 207.21 грн до 207.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK3R2E06PL,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTORPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 168W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
TK3R2E06PL,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |