TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 155.49 грн |
| 50+ | 120.63 грн |
| 100+ | 99.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TK3R3E08QM,S1X за ціною від 128.33 грн до 161.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK3R3E08QM,S1X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
TK3R3E08QM,S1X | Toshiba |
MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK3R3E08QM,S1X |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 161.73 грн |
| 94+ | 150.06 грн |
| 110+ | 128.33 грн |
| TK3R3E08QM,S1X |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





