
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
87+ | 140.12 грн |
94+ | 130.01 грн |
110+ | 111.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK3R3E08QM,S1X Toshiba
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TK3R3E08QM,S1X за ціною від 68.77 грн до 238.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK3R3E08QM,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK3R3E08QM,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK3R3E08QM,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |