Продукція > TOSHIBA > TK40A10N1,S4X(S
TK40A10N1,S4X(S

TK40A10N1,S4X(S Toshiba

1669docget.jsplangenpidtk40a10n1typedatasheet.jsplangenpidtk40a10n1ty.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
117+120.61 грн
127+110.94 грн
156+90.28 грн
200+81.41 грн
800+75.17 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK40A10N1,S4X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 35W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm.

Інші пропозиції TK40A10N1,S4X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK40A10N1,S4X(S TK40A10N1,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK40A10N1,S4X(S TK40A10N1,S4X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK40A10N1,S4X(S
TK40A10N1,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK40A10N1,S4X(S
TK40A10N1,S4X(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.