TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 90A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 90A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 126W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції TK40E10N1,S1X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK40E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товару немає в наявності |
|
|
|
TK40E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
товару немає в наявності |
|
 |
TK40E10N1,S1X | Виробник : Toshiba |
MOSFET 40V N0Ch PWR FET 90A 126W 3000pF |
товару немає в наявності |