TK40J20D,S1F(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK40J20D,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 40 A, 0.0374 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0374ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 569.72 грн |
| 10+ | 440.46 грн |
| 100+ | 363.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK40J20D,S1F(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK40J20D,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 40 A, 0.0374 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0374ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TK40J20D,S1F(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK40J20D,S1F(O | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
.jpg "TK40J20D,S1F(O") |
TK40J20D,S1F(O | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO3P Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |