Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK40S06N1L,LQ
TK40S06N1L,LQ

TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

datasheet_en_20200624.pdf?did=30110 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK40S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK40S06N1L,LQ за ціною від 24.42 грн до 102.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK40S06N1L,LQ TK40S06N1L,LQ Виробник : Toshiba TK40S06N1L_datasheet_en_20200624-1649704.pdf MOSFETs TO252 N CHAN 60V
на замовлення 13259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.91 грн
10+59.22 грн
100+35.75 грн
250+35.68 грн
500+28.69 грн
1000+26.41 грн
2000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LQ TK40S06N1L,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20200624.pdf?did=30110 Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
10+62.30 грн
100+41.36 грн
500+30.37 грн
1000+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LQ TK40S06N1L,LQ Виробник : Toshiba tk40s06n1l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LQ TK40S06N1L,LQ Виробник : Toshiba tk40s06n1l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.