Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK40S06N1L,LXHQ
TK40S06N1L,LXHQ

TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK40S06N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=30110&prodName=TK40S06N1L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.06 грн
4000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK40S06N1L,LXHQ за ціною від 29.50 грн до 115.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L,LXHQ Виробник : Toshiba TK40S06N1L_datasheet_en_20200624-1649704.pdf MOSFETs 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.63 грн
10+64.40 грн
25+50.79 грн
100+39.78 грн
250+39.70 грн
500+32.00 грн
1000+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=30110&prodName=TK40S06N1L Description: MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 6970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.11 грн
10+70.03 грн
100+46.78 грн
500+34.52 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L,LXHQ Виробник : Toshiba tk40s06n1l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.