
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.30 грн |
50+ | 77.69 грн |
100+ | 69.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V.
Інші пропозиції TK42A12N1,S4X за ціною від 47.31 грн до 157.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK42A12N1,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK42A12N1,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
TK42A12N1,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |