
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 114.15 грн |
10+ | 93.06 грн |
100+ | 62.39 грн |
500+ | 52.90 грн |
1000+ | 40.54 грн |
5000+ | 38.62 грн |
10000+ | 38.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK42A12N1,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 120V 42A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V.
Інші пропозиції TK42A12N1,S4X за ціною від 74.33 грн до 175.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK42A12N1,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 60 V |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
TK42A12N1,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
TK42A12N1,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |