на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.86 грн |
| 10+ | 62.20 грн |
| 100+ | 49.32 грн |
| 500+ | 35.37 грн |
| 1000+ | 27.82 грн |
| 5000+ | 27.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK46A08N1,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TK46A08N1,S4X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK46A08N1,S4X | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|
|
|
TK46A08N1,S4X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
товару немає в наявності |
|
 |
TK46A08N1,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |