TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.08 грн |
| 50+ | 51.50 грн |
| 100+ | 37.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK4A50D(STA4,Q,M) за ціною від 20.54 грн до 99.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK4A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|