Продукція > TOSHIBA > TK4A60DA(STA4,Q,M)
TK4A60DA(STA4,Q,M)

TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: SC67
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.70 грн
9+45.00 грн
10+39.81 грн
27+35.01 грн
72+33.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA

Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK4A60DA(STA4,Q,M) за ціною від 38.51 грн до 78.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba TK4A60DA_datasheet_en_20131101-1134423.pdf MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.73 грн
10+68.87 грн
100+46.64 грн
500+38.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) Виробник : TOSHIBA Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: SC67
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.85 грн
6+56.07 грн
10+47.77 грн
27+42.01 грн
72+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba tk4a60da_datasheet_en_20131101.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba tk4a60da_datasheet_en_20131101.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.