TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Case: SC67
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 60.12 грн |
| 11+ | 41.41 грн |
| 12+ | 36.66 грн |
| 50+ | 33.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK4A60DA(STA4,Q,M) за ціною від 36.41 грн до 73.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
 MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |