TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 35W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 35W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 59.42 грн |
| 11+ | 40.93 грн |
| 12+ | 36.24 грн |
| 50+ | 32.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4A60DA(STA4,Q,M) TOSHIBA
Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK4A60DA(STA4,Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Toshiba |
 MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK4A60DA(STA4,Q,M) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)