TK4A60DB(STA4,Q,M)
Код товару: 145180
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TK4A60DB(STA4,Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba |
 MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK4A60DB(STA4,Q,M) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK4A60DB(STA4,Q,M) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK4A60DB(STA4,Q,M) |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.