TK4A60DB(STA4,Q,M)
Код товару: 145180
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TK4A60DB(STA4,Q,M)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba |
 MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK4A60DB(STA4,Q,M) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK4A60DB(STA4,Q,M) |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TK4A60DB(STA4,Q,M) |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.