TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 300 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.75 грн |
| 10+ | 57.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 300 V.
Інші пропозиції TK4K1A60F,S4X за ціною від 23.32 грн до 89.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK4K1A60F,S4X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TK4K1A60F,S4X | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
товару немає в наявності |