Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK4K1A60F,S4X
TK4K1A60F,S4X

TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

TK4K1A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=61570&prodName=TK4K1A60F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 300 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.02 грн
10+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK4K1A60F,S4X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK4K1A60F,S4X TK4K1A60F,S4X Toshiba EC94E7C7EB0DEA198904018ED4689132DCE40D4F6495CE809C359721FFB6BF88.pdf MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4K1A60F,S4X EC94E7C7EB0DEA198904018ED4689132DCE40D4F6495CE809C359721FFB6BF88.pdf
TK4K1A60F,S4X
Виробник: Toshiba
MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.