TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.67 грн |
| 10+ | 55.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4K1A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Power Dissipation (Max): 30W (Tc).
Інші пропозиції TK4K1A60F,S4X за ціною від 21.73 грн до 83.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK4K1A60F,S4X | Виробник : Toshiba |
MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|