Продукція > TOSHIBA > TK4P60D,RQ(S
TK4P60D,RQ(S

TK4P60D,RQ(S TOSHIBA

3934724.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.01 грн
500+32.21 грн
1000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4P60D,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK4P60D,RQ(S за ціною від 29.21 грн до 97.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK4P60D,RQ(S TK4P60D,RQ(S Виробник : TOSHIBA 3934724.pdf Description: TOSHIBA - TK4P60D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.87 грн
14+65.08 грн
100+43.01 грн
500+32.21 грн
1000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ(S TK4P60D,RQ(S Виробник : Toshiba 199tk4p60d_datasheet_en_20140106.pdf.pdf MOSFETs Silicon N-channel MOS
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ(S Виробник : Toshiba TK4P60D,RQ(S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.