Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK4P60D,RQ
TK4P60D,RQ

TK4P60D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=12804&prodName=TK4P60D Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4P60D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції TK4P60D,RQ за ціною від 26.19 грн до 97.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK4P60D,RQ TK4P60D,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12804&prodName=TK4P60D Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.15 грн
10+54.41 грн
100+36.01 грн
500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ TK4P60D,RQ Виробник : Toshiba TK4P60D_datasheet_en_20140106-1649951.pdf MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.85 грн
10+63.88 грн
100+36.78 грн
500+29.65 грн
1000+29.13 грн
2000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ TK4P60D,RQ Виробник : Toshiba 199tk4p60d_datasheet_en_20140106.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60D,RQ TK4P60D,RQ Виробник : Toshiba 199tk4p60d_datasheet_en_20140106.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.