Продукція > TOSHIBA > TK4P60DA,RQ(S2
TK4P60DA,RQ(S2

TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA

2921003.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.57 грн
500+29.02 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4P60DA,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK4P60DA,RQ(S2 за ціною від 24.36 грн до 81.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK4P60DA,RQ(S2            TK4P60DA,RQ(S2            Виробник : TOSHIBA 2921003.pdf Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.10 грн
500+33.80 грн
1000+28.92 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA,RQ(S2 TK4P60DA,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA 2921003.pdf Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.60 грн
17+53.23 грн
100+36.57 грн
500+29.02 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA,RQ(S2            TK4P60DA,RQ(S2            Виробник : TOSHIBA 2921003.pdf Description: TOSHIBA - TK4P60DA,RQ(S2            - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.13 грн
15+59.93 грн
100+43.10 грн
500+33.80 грн
1000+28.92 грн
5000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TK4P60DA,RQ(S2 Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.