TK4R1A10PL,S4X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0035 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 221.47 грн |
| 10+ | 109.50 грн |
| 100+ | 95.50 грн |
| 500+ | 72.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4R1A10PL,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R1A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0035 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TK4R1A10PL,S4X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| TK4R1A10PL,S4X(S | Виробник : Toshiba | TK4R1A10PL,S4X(S |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
| TK4R1A10PL,S4X(S | Виробник : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
товару немає в наявності |