TK4R3E06PL,S1X(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R3E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 87W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4R3E06PL,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R3E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 87W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.
Інші пропозиції TK4R3E06PL,S1X(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| TK4R3E06PL,S1X(S | Toshiba | TK4R3E06PL,S1X(S |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK4R3E06PL,S1X(S |
Виробник: Toshiba
TK4R3E06PL,S1X(S
TK4R3E06PL,S1X(S
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)