Продукція > TOSHIBA > TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PL,RQ(S2

TK4R4P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

3934727.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.71 грн
500+46.00 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4R4P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 87W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK4R4P06PL,RQ(S2 за ціною від 41.60 грн до 87.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA 3934727.pdf Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.57 грн
16+53.89 грн
100+51.71 грн
500+46.00 грн
1000+41.60 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba TK4R4P06PL,RQ(S2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+87.55 грн
154+79.81 грн
189+64.93 грн
202+58.57 грн
500+54.05 грн
1000+46.04 грн
2000+42.98 грн
2500+42.90 грн
5000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.