Продукція > TOSHIBA > TK4R4P06PL,RQ(S2
TK4R4P06PL,RQ(S2

TK4R4P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

3934727.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.72 грн
500+46.94 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK4R4P06PL,RQ(S2 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 87W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK4R4P06PL,RQ(S2 за ціною від 42.46 грн до 146.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : TOSHIBA 3934727.pdf Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.46 грн
13+66.08 грн
100+64.72 грн
500+46.94 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba tk4r4p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 106A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+146.97 грн
169+71.79 грн
200+65.41 грн
1000+51.32 грн
2000+44.41 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
TK4R4P06PL,RQ(S2 Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.