
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
49+ | 253.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK4R9E15Q5,S1X Toshiba
Description: 150V UMOS10-HSD TO-220 4.9MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.2mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 75 V.
Інші пропозиції TK4R9E15Q5,S1X за ціною від 209.03 грн до 388.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK4R9E15Q5,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK4R9E15Q5,S1X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.2mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 75 V |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK4R9E15Q5,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TK4R9E15Q5,S1X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |