Продукція > TOSHIBA > TK560A65Y,S4X
TK560A65Y,S4X

TK560A65Y,S4X Toshiba

13201docget.jspdid53800prodnametk560a65y.jspdid53800prodnametk560a65y..pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK560A65Y,S4X Toshiba

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK560A65Y,S4X за ціною від 46.46 грн до 157.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK560A65Y,S4X TK560A65Y,S4X Виробник : Toshiba TK560A65Y_datasheet_en_20161115-1115867.pdf MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.72 грн
10+112.25 грн
100+78.53 грн
500+64.14 грн
1000+49.47 грн
5000+47.70 грн
10000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4X TK560A65Y,S4X Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y_datasheet_en_20161115.pdf?did=53800&prodName=TK560A65Y Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4X TK560A65Y,S4X Виробник : Toshiba 13201docget.jspdid53800prodnametk560a65y.jspdid53800prodnametk560a65y..pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4X TK560A65Y,S4X Виробник : Toshiba 13201docget.jspdid53800prodnametk560a65y.jspdid53800prodnametk560a65y..pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK560A65Y,S4X TK560A65Y,S4X Виробник : Toshiba 13201docget.jspdid53800prodnametk560a65y.jspdid53800prodnametk560a65y..pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.