TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 213.98 грн |
| 50+ | 103.19 грн |
| 100+ | 93.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK56A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK56A12N1,S4X за ціною від 79.07 грн до 89.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK56A12N1,S4X | Toshiba |
MOSFETs MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| TK56A12N1,S4X | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TK56A12N1,S4X |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
MOSFETs MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK56A12N1,S4X |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 89.96 грн |
| 10+ | 79.07 грн |