| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.32 грн |
| 10+ | 111.61 грн |
| 100+ | 87.91 грн |
| 500+ | 84.39 грн |
| 1000+ | 71.73 грн |
| 2500+ | 66.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK56A12N1,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220SIS, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK56A12N1,S4X за ціною від 95.81 грн до 219.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK56A12N1,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SISInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|