на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.46 грн |
| 10+ | 109.59 грн |
| 100+ | 86.31 грн |
| 500+ | 82.86 грн |
| 1000+ | 70.43 грн |
| 2500+ | 64.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK56A12N1,S4X Toshiba
Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V.
Інші пропозиції TK56A12N1,S4X за ціною від 94.08 грн до 215.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK56A12N1,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 60 V |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|