Продукція > TOSHIBA > TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1,S1X(S

TK58E06N1,S1X(S TOSHIBA

3934731.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.66 грн
11+75.33 грн
100+73.85 грн
500+67.12 грн
1000+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK58E06N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK58E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 0.0044 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TK58E06N1,S1X(S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK58E06N1,S1X(S TK58E06N1,S1X(S Виробник : Toshiba 2387docget.jsplangenpidtk58e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk58e06n1ty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK58E06N1,S1X(S TK58E06N1,S1X(S Виробник : Toshiba 2387docget.jsplangenpidtk58e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk58e06n1ty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.