Інші пропозиції TK5A50D(STA4,Q,M) за ціною від 85.44 грн до 85.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TK5A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SISMounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
TK5A50D(STA4,Q,M) | Toshiba |
MOSFETs MOSFET N-CH 500V, 5A |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
TK5A50D(STA4,Q,M) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
TK5A50D(STA4,Q,M) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
| TK5A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.44 грн |
| TK5A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs MOSFET N-CH 500V, 5A
MOSFETs MOSFET N-CH 500V, 5A
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| TK5A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TK5A50D(STA4,Q,M) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





