на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.67 грн |
10+ | 73.55 грн |
100+ | 53.14 грн |
500+ | 39.32 грн |
1000+ | 31.44 грн |
2500+ | 30.58 грн |
5000+ | 29.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5A50D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK5A50D(STA4,Q,M) за ціною від 80.16 грн до 80.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TK5A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
TK5A50D(STA4,Q,M) Код товару: 135758 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
TK5A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товар відсутній |