
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.48 грн |
10+ | 80.85 грн |
100+ | 58.42 грн |
500+ | 43.23 грн |
1000+ | 34.57 грн |
2500+ | 33.61 грн |
5000+ | 32.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5A50D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK5A50D(STA4,Q,M) за ціною від 88.12 грн до 88.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK5A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
TK5A50D(STA4,Q,M) Код товару: 135758
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||
![]() |
TK5A50D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |