на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.65 грн |
| 10+ | 75.84 грн |
| 100+ | 61.18 грн |
| 500+ | 47.16 грн |
| 1000+ | 40.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5A65D(STA4,Q,M) Toshiba
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK5A65D(STA4,Q,M) за ціною від 151.48 грн до 151.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK5A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO220SISPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
TK5A65D(STA4,Q,M) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |