на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 170.66 грн |
| 50+ | 107.77 грн |
| 100+ | 73.82 грн |
| 250+ | 71.23 грн |
| 500+ | 57.44 грн |
| 1000+ | 49.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5A90E,S4X Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TK5A90E,S4X за ціною від 106.31 грн до 106.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK5A90E,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1Ohm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|