Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK5P50D(T6RSS-Q)
TK5P50D(T6RSS-Q)

TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 3871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.14 грн
10+78.68 грн
100+52.92 грн
500+39.29 грн
1000+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, Verlustleistung: 80W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.

Інші пропозиції TK5P50D(T6RSS-Q)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK5P50D(T6RSS-Q) TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba DC9E5E8F821EB9AC865241082D1C6726A76C54E8170958CE580BF509015B7060.pdf MOSFETs N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) TK5P50D(T6RSS-Q) TOSHIBA docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D Description: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) TK5P50D(T6RSS-Q) TOSHIBA docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D Description: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) DC9E5E8F821EB9AC865241082D1C6726A76C54E8170958CE580BF509015B7060.pdf
TK5P50D(T6RSS-Q)
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D
TK5P50D(T6RSS-Q)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P50D(T6RSS-Q) docget.jsp?did=2310&prodName=TK5P50D
TK5P50D(T6RSS-Q)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK5P50D(T6RSS-Q) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 1456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.