Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK5P60W,RVQ
TK5P60W,RVQ

TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P60W_Rev3.0_9-17-14.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TK5P60W,RVQ за ціною від 53.49 грн до 163.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TK5P60W,RVQ TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W_Rev3.0_9-17-14.pdf Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.70 грн
10+99.77 грн
100+79.38 грн
500+63.04 грн
1000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W,RVQ Toshiba 15tk5p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.45 грн
10+146.50 грн
25+145.15 грн
100+111.95 грн
250+98.11 грн
500+81.27 грн
1000+69.47 грн
3000+66.16 грн
6000+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W,RVQ Toshiba 15tk5p60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+163.45 грн
96+146.50 грн
97+145.15 грн
122+111.95 грн
250+98.11 грн
500+81.27 грн
1000+69.47 грн
3000+66.16 грн
6000+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W,RVQ Toshiba TK5P60W_datasheet_en_20140917-1139950.pdf MOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W_Rev3.0_9-17-14.pdf
TK5P60W,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.70 грн
10+99.77 грн
100+79.38 грн
500+63.04 грн
1000+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ 15tk5p60w_en_datasheet.pdf
TK5P60W,RVQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+163.45 грн
10+146.50 грн
25+145.15 грн
100+111.95 грн
250+98.11 грн
500+81.27 грн
1000+69.47 грн
3000+66.16 грн
6000+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ 15tk5p60w_en_datasheet.pdf
TK5P60W,RVQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+163.45 грн
96+146.50 грн
97+145.15 грн
122+111.95 грн
250+98.11 грн
500+81.27 грн
1000+69.47 грн
3000+66.16 грн
6000+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P60W,RVQ TK5P60W_datasheet_en_20140917-1139950.pdf
TK5P60W,RVQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 600V 380pF
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.