TK5P65W,RQ


TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf
Код товару: 184247
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TK5P65W,RQ за ціною від 34.61 грн до 147.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Виробник : Toshiba tosc_s_a0001381671_1-2283618.pdf MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.73 грн
10+75.63 грн
25+61.75 грн
100+46.24 грн
250+46.11 грн
500+37.45 грн
1000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.97 грн
10+91.42 грн
100+62.14 грн
500+46.54 грн
1000+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Виробник : Toshiba 6671docget.jspdid15521prodnametk5p65w.jspdid15521prodnametk5p65w.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.