Продукція > TOSHIBA > TK5P65W,RQ
TK5P65W,RQ

TK5P65W,RQ Toshiba

tosc_s_a0001381671_1-2283618.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.85 грн
10+80.37 грн
25+65.62 грн
100+49.14 грн
250+49.00 грн
500+39.80 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5P65W,RQ Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK5P65W,RQ за ціною від 47.37 грн до 164.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.73 грн
10+101.39 грн
100+68.86 грн
500+51.57 грн
1000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ
Код товару: 184247
Додати до обраних Обраний товар

TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Виробник : Toshiba 6671docget.jspdid15521prodnametk5p65w.jspdid15521prodnametk5p65w.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.