TK5Q60W,S1VQ

TK5Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.40 грн
75+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V.

Інші пропозиції TK5Q60W,S1VQ за ціною від 54.46 грн до 187.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK5Q60W,S1VQ TK5Q60W,S1VQ Виробник : Toshiba TK5Q60W_datasheet_en_20140105-1140077.pdf MOSFETs DTMOSIV 600V 900mOhm 5.4A 60W 380pF10.5nC
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.51 грн
10+178.93 грн
25+154.85 грн
75+71.12 грн
525+61.94 грн
1050+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.