
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.15 грн |
10+ | 125.76 грн |
50+ | 66.27 грн |
100+ | 55.34 грн |
250+ | 50.49 грн |
500+ | 46.24 грн |
1000+ | 42.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5R1A08QM,S4X Toshiba
Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TK5R1A08QM,S4X за ціною від 68.64 грн до 146.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK5R1A08QM,S4X | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
TK5R1A08QM,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
![]() |
TK5R1A08QM,S4X | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |