TK5R1P08QM,RQ

TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage


TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TK5R1P08QM,RQ за ціною від 45.36 грн до 150.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.51 грн
10+99.12 грн
100+77.28 грн
500+59.91 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM,RQ Toshiba TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119-2486430.pdf MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
на замовлення 25314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.97 грн
10+95.43 грн
100+54.92 грн
250+54.85 грн
500+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119.pdf?did=70474&prodName=TK5R1P08QM
TK5R1P08QM,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.51 грн
10+99.12 грн
100+77.28 грн
500+59.91 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK5R1P08QM,RQ TK5R1P08QM_datasheet_en_20210119-2486430.pdf
TK5R1P08QM,RQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
на замовлення 25314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.97 грн
10+95.43 грн
100+54.92 грн
250+54.85 грн
500+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.