TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 50.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK5R1P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TK5R1P08QM,RQ за ціною від 48.67 грн до 161.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK5R1P08QM,RQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V |
на замовлення 6841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK5R1P08QM,RQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm |
на замовлення 25314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TK5R1P08QM,RQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
TK5R1P08QM,RQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 84A T/R |
товару немає в наявності |