Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK60F10N1L,LXGQ
TK60F10N1L,LXGQ

TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-220SM(W), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK60F10N1L,LXGQ за ціною від 68.44 грн до 224.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Виробник : Toshiba TK60F10N1L_datasheet_en_20200624-1915234.pdf MOSFETs PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.84 грн
10+134.51 грн
50+110.17 грн
100+84.52 грн
500+69.42 грн
1000+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=58169&prodName=TK60F10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.48 грн
10+140.39 грн
100+97.08 грн
500+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK60F10N1L,LXGQ TK60F10N1L,LXGQ Виробник : Toshiba tk60f10n1l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.