Продукція > TOSHIBA > TK60S06K3L(T6L1,NQ
TK60S06K3L(T6L1,NQ

TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba

4tk60s06k3l_en_datasheet.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+78.25 грн
173+74.75 грн
250+71.75 грн
500+66.69 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TK60S06K3L(T6L1,NQ за ціною від 49.02 грн до 174.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba 4tk60s06k3l_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+78.25 грн
173+74.75 грн
250+71.75 грн
500+66.69 грн
1000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.23 грн
10+95.78 грн
100+76.22 грн
500+60.53 грн
1000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba BCE2B2288FCC9FC89B15218E3F2C57DC2D815ACCC57A56E19EA785274E099B47.pdf MOSFETs N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.89 грн
10+111.45 грн
100+66.59 грн
500+52.99 грн
1000+51.67 грн
2000+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba 4tk60s06k3l_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S06K3L(T6L1,NQ TK60S06K3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.