TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.26 грн |
| 10+ | 96.60 грн |
| 100+ | 76.88 грн |
| 500+ | 61.05 грн |
| 1000+ | 51.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TK60S06K3L(T6L1,NQ за ціною від 49.79 грн до 188.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
 MOSFETs N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|