
TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
165+ | 73.79 грн |
173+ | 70.49 грн |
250+ | 67.67 грн |
500+ | 62.89 грн |
1000+ | 56.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TK60S06K3L(T6L1,NQ за ціною від 51.81 грн до 135.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : TOSHIBA | TK60S06K3L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
TK60S06K3L(T6L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |