Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TK60S10N1L,LXHQ
TK60S10N1L,LXHQ

TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TK60S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58173&prodName=TK60S10N1L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.54 грн
10+94.09 грн
100+66.66 грн
500+54.83 грн
1000+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TK60S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TK60S10N1L,LXHQ за ціною від 49.12 грн до 121.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TK60S10N1L,LXHQ TK60S10N1L,LXHQ Виробник : Toshiba TK60S10N1L_datasheet_en_20200624-1915215.pdf MOSFETs PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 7590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.49 грн
10+98.93 грн
25+79.99 грн
100+68.44 грн
250+64.44 грн
500+55.09 грн
1000+49.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK60S10N1L,LXHQ TK60S10N1L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TK60S10N1L_datasheet_en_20200624.pdf?did=58173&prodName=TK60S10N1L Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.