Технічний опис TK62J60W,S1VQ(O Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 61.8A, Power dissipation: 400W, Case: TO3PN, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 40mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 180nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції TK62J60W,S1VQ(O
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK62J60W,S1VQ(O | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK62J60W,S1VQ(O |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)