Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TK62J60W,S1VQ Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P(N), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції TK62J60W,S1VQ за ціною від 743.75 грн до 743.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TK62J60W,S1VQ | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
TK62J60W,S1VQ | Toshiba |
MOSFETs N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TK62J60W,S1VQ |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 743.75 грн |
| TK62J60W,S1VQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
MOSFETs N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)